DOWSIL™ 93-500 Uzay Sınıfı Şeffaf Silikon Potting Kiti - Türkiye'nin Resmi Distribütörü
![]() |
Teknik Ürün Bilgileri | ![]() |
| DOWSIL™ 93-500 Space Grade Encapsulant Kit (110 g) – Uzay Sınıfı Düşük Gaz Salınımlı İki Bileşenli Silikon Potting Malzemesi |
| Ürün Tanımı |
| DOWSIL™ 93-500 Space Grade Encapsulant Kit (100g A bileşeni + 10g B katalizör), uzay araçları, uydular ve yüksek rakımlı havacılık sistemleri için özel olarak geliştirilmiş, aşırı düşük gaz salınımına (low outgassing) sahip iki bileşenli, şeffaf/berrak silikon dolgu ve kapsülleme (potting) malzemesidir. NASA uzay standartlarının katı outgassing test gereksinimlerini tam olarak karşılar. |
| Öne Çıkan Özellikler |
| • Uzay Sınıfı Düşük Gaz Salınımı (Space Grade Outgassing): NASA SP-R-0022A standartlarına uygunluk (CVCM <%0.1, TML <%1) • Karışım Oranı: 100 kısım A bileşeni / 10 kısım B katalizör (Ağırlıkça hassas oran) • Kürlenme Mekanizması: Isı ile hızlandırılan ekleme reaksiyonlu (addition cure) sistem • Optik Şeffaflık: Yüksek berraklığı sayesinde kürlenme sonrasında bileşenlerin ve lehim noktalarının görsel kontrolüne olanak tanır • Esneklik & Şok Direnci: Geniş sıcaklık dalgalanmalarında bile çatlamayan yumuşak elastomerik yapı • Geniş Çalışma Sıcaklığı: -115°C ile +200°C arası sıra dışı termal kararlılık |
| Kullanım Alanları |
| • Uydu alt sistemleri, uzay araçları elektroniği ve astronomik optik ekipman koruması • Havacılık ve savunma sanayiinde yüksek güvenilirlik gerektiren hassas devre modülleri ve sensörler • Vakum ortamında buğulanma veya kontaminasyon yapmaması gereken optoelektronik bileşenler • Laboratuvar çalışmaları, numune üretimi ve prototip havacılık projeleri |
| Avantajları |
| • 110 g (100+10 g) pratik kit ambalajı ile ar-ge çalışmaları, numune üretimi ve küçük ölçekli kritik montajlar için ideal miktar sunar • Uzay vakum ortamında uçucu siloksan buharlaşarak optik lensleri ve hassas kontakları kirletmez • Aşırı düşük ve yüksek sıcaklık döngülerinde mekanik stresi sönümleyerek lehim çatlamalarını önler • Üstün dielektrik izolasyonu ile yüksek gerilim altında dahi ark oluşumunu engeller |


